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FZT857QTA
0.431
FZT857QTA 数据手册 (7 页)
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FZT857QTA 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
SOT-223
极性
NPN
功耗
3000 mW
击穿电压(集电极-发射极)
300 V
集电极最大允许电流
3.5A
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3000 mW

FZT857QTA 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
工作温度
-55℃ ~ 150℃

FZT857QTA 数据手册

Diodes(美台)
7 页 / 0.55 MByte
Diodes(美台)
7 页 / 0.43 MByte

FZT857 数据手册

Diodes(美台)
单晶体管 双极, NPN, 300 V, 80 MHz, 3 W, 3.5 A, 200 hFE
Vishay Semiconductor(威世)
DIODES INC.  FZT857  单晶体管 双极, NPN, 300 V, 80 MHz, 3 W, 3.5 A, 200 hFE
Diodes(美台)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Voltage
Diodes Zetex(捷特科)
Diodes Inc### 双极晶体管,Diodes Inc### 晶体管,Diodes Inc
Diodes(美台)
Diodes(美台)
Vishay Semiconductor(威世)
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