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GT20J321
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GT20J321 数据手册 (8 页)
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GT20J321 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
TO-220
极性
N-Channel
功耗
45 W
上升时间
40 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作结温(Max)
150 ℃

GT20J321 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active

GT20J321 数据手册

Toshiba(东芝)
8 页 / 0.16 MByte
Toshiba(东芝)
7 页 / 0.21 MByte

GT20 数据手册

Vibtec
VIBTEC  GT20  气动涡轮振动器, 5520N
Genitop(上海高通)
80MHz(max.) @3.3V 工作电压:2.2V~3.6V
Genitop(上海高通)
30MHz(max.) @3.3V 工作电压:2.2V~3.6V
Genitop(上海高通)
30MHz(max.) @3.3V 工作电压:2.2V~3.6V
Toshiba(东芝)
Toshiba(东芝)
Toshiba(东芝)
Toshiba(东芝)
IGBT 分立,Toshiba### IGBT 分立件和模块,Toshiba绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
Toshiba(东芝)
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