GT60N321(Q)

￥ 0

GT60N321(Q) 数据手册 - Toshiba（东芝）

制造商:

Toshiba（东芝）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

GT60N321(Q) 数据手册 (6 页)

GT60N321(Q) 数据手册 (6 页)

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GT60N321(Q) 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-3

额定功率

170 W

击穿电压(集电极-发射极)

1000 V

反向恢复时间

2.5 µs

额定功率(Max)

170 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

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GT60N321(Q) 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tube

工作温度

150℃ (TJ)

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GT60N321(Q) 符合标准

GT60N321(Q) 概述

GT60N321(Q) 数据手册

GT60N321(Q) 数据手册

Toshiba（东芝）

6 页 / 0.2 MByte

GT60N321(Q) 其他数据使用手册

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6 页 / 0.18 MByte

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