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Datasheet 搜索 > 光耦合器/光隔离器 > ON Semiconductor(安森美) > H11F3SR2M Datasheet 文档
H11F3SR2M
器件3D模型
0.778
H11F3SR2M 数据手册 (11 页)
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H11F3SR2M 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
PDIP-6
通道数
1 Channel
针脚数
6 Position
正向电压
1.3 V
功耗
300 mW
隔离电压
7.5 kVrms
输入电流(Min)
60 mA
正向电压(Max)
1.75 V
正向电流(Max)
60 mA
工作温度(Max)
100 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
300 mW

H11F3SR2M 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bag

H11F3SR2M 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
11 页 / 2.03 MByte
ON Semiconductor(安森美)
50 页 / 1.22 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.06 MByte
ON Semiconductor(安森美)
15 页 / 0.57 MByte

H11F3SR2 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FET 输出,Fairchild Semiconductor光电探测器从 IRED 发光二极管输入以电气方式隔离。 光耦合器如同理想的隔离 FET 一样工作,设计用于无失真控制低交流和直流电平模拟信号。### 光耦合器,Fairchild Semiconductor
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor 光耦 H11F3SR2M, 直流输入, FET输出, 6引脚 DIP 封装
ON Semiconductor(安森美)
H11F3M: 6引脚DIP双向模拟FET输出光电耦合器
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