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H11F3SVM
器件3D模型
1.36
H11F3SVM 数据手册 (11 页)
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H11F3SVM 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
PDIP-6
通道数
1 Channel
针脚数
6 Position
正向电压
1.3 V
功耗
300 mW
隔离电压
7500 Vpk
正向电流
60 mA
输出电压(Max)
15 V
输入电流(Min)
60 mA
正向电压(Max)
1.75 V
正向电流(Max)
60 mA
工作温度(Max)
100 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
300 mW

H11F3SVM 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
高度
3.53 mm
工作温度
-40℃ ~ 100℃

H11F3SVM 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
11 页 / 2.03 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
11 页 / 2.03 MByte

H11F3 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
PHOTO FET光耦合器 PHOTO FET OPTOCOUPLERS
ON Semiconductor(安森美)
ISOCOM Components(安数光)
Intersil(英特矽尔)
QT Optoelectronics
TT Electronics/Optek Technology
Fairchild(飞兆/仙童)
IGBT/MOSFET 栅极驱动,Fairchild Semiconductor### 光耦合器,Fairchild Semiconductor
Fairchild(飞兆/仙童)
FET 输出,Fairchild Semiconductor光电探测器从 IRED 发光二极管输入以电气方式隔离。 光耦合器如同理想的隔离 FET 一样工作,设计用于无失真控制低交流和直流电平模拟信号。### 光耦合器,Fairchild Semiconductor
Fairchild(飞兆/仙童)
IGBT/MOSFET 栅极驱动,Fairchild Semiconductor### 光耦合器,Fairchild Semiconductor
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