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H11F3W
器件3D模型
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H11F3W 数据手册 (10 页)
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H11F3W 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
6 Pin
封装
DIP-6
输入电压(DC)
1.30 V
输出电压
15 V
电路数
1 Circuit
通道数
1 Channel
正向电压
1.3 V
功耗
300 mW
隔离电压
5300 Vrms
正向电流
60 mA
输出电压(Max)
15 V
正向电压(Max)
1.75 V
正向电流(Max)
60 mA
工作温度(Max)
100 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300 mW

H11F3W 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Bulk
长度
8.89 mm
宽度
6.86 mm
高度
5.08 mm
工作温度
-55℃ ~ 100℃

H11F3W 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.52 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.54 MByte

H11F3 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
PHOTO FET光耦合器 PHOTO FET OPTOCOUPLERS
ON Semiconductor(安森美)
ISOCOM Components(安数光)
Intersil(英特矽尔)
QT Optoelectronics
TT Electronics/Optek Technology
Fairchild(飞兆/仙童)
IGBT/MOSFET 栅极驱动,Fairchild Semiconductor### 光耦合器,Fairchild Semiconductor
Fairchild(飞兆/仙童)
FET 输出,Fairchild Semiconductor光电探测器从 IRED 发光二极管输入以电气方式隔离。 光耦合器如同理想的隔离 FET 一样工作,设计用于无失真控制低交流和直流电平模拟信号。### 光耦合器,Fairchild Semiconductor
Fairchild(飞兆/仙童)
IGBT/MOSFET 栅极驱动,Fairchild Semiconductor### 光耦合器,Fairchild Semiconductor
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