器件3D模型

￥ 0.363

H11G1SR2M 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

光耦合器/光隔离器

封装:

DIP-6

描述:

光耦合器，达林顿晶体管输出，Fairchild Semiconductor### 光耦合器，Fairchild Semiconductor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

H11G1SR2M 数据手册 (12 页)

封装尺寸在2 页

原理图在2 页

H11G1SR2M 数据手册 (12 页)

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H11G1SR2M 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

DIP-6

输出电压

100 V

通道数

1 Channel

针脚数

6 Position

正向电压

1.3 V

输入电流

60 mA

功耗

260 mW

上升时间

5 µs

隔离电压

7.5 kV

正向电流

60 mA

输入电流(Min)

60 mA

正向电压(Max)

1.5 V

正向电流(Max)

60 mA

下降时间

100 µs

工作温度(Max)

100 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

260 mW

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H11G1SR2M 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Cut Tape (CT)

工作温度

-40℃ ~ 100℃

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H11G1SR2M 符合标准

H11G1SR2M 海关信息

H11G1SR2M 概述

H11G1SR2M 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

12 页 / 0.34 MByte

H11G1SR2M 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

11 页 / 0.31 MByte

H11G1SR2M 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.05 MByte

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