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H11G2M
器件3D模型
0.246
H11G2M 数据手册 (11 页)
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H11G2M 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
6 Pin
封装
DIP-6
输出电压
80.0 V
通道数
1 Channel
针脚数
6 Position
正向电压
1.3 V
输入电流
60 mA
功耗
260 mW
隔离电压
7.5 kV
正向电流
60 mA
输出电压(Max)
80 V
输入电流(Min)
60 mA
击穿电压
6 V
正向电压(Max)
1.5 V
正向电流(Max)
60 mA
工作温度(Max)
100 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
260 mW

H11G2M 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Each
长度
8.89 mm
宽度
6.6 mm
高度
3.53 mm
工作温度
-40℃ ~ 100℃

H11G2M 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
11 页 / 0.31 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
12 页 / 0.34 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.05 MByte

H11G2 数据手册

ISOCOM Components(安数光)
Isocom Components### 光耦合器,Isocom Components
Fairchild(飞兆/仙童)
高压光电复合光耦合器 HIGH VOLTAGE PHOTODARLINGTON OPTOCOUPLERS
ON Semiconductor(安森美)
Motorola(摩托罗拉)
Intersil(英特矽尔)
QT Optoelectronics
TT Electronics/Optek Technology
TE Connectivity(泰科)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  H11G2M  光电耦合器, 光敏达林顿, 7.5KV, DIP
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