器件3D模型

￥ 2.769

H11N1TVM 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

光耦合器/光隔离器

封装:

PDIP-6

描述:

H11N1M: 6 引脚 DIP 低输入电流施密特触发器输出光耦合器

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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H11N1TVM 数据手册 (12 页)

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H11N1TVM 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

6 Pin

封装

PDIP-6

上升/下降时间

7.5ns, 12ns

输出电流

0.05 A

通道数

1 Channel

正向电压

1.4 V

功耗

0.25 W

上升时间

0.0075 µs

隔离电压

7500 Vpk

正向电流

30 mA

击穿电压

6 V

正向电压(Max)

2 V

正向电流(Max)

30 mA

下降时间

0.012 µs

工作温度(Max)

85 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

250 mW

电源电压

4V ~ 15V

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H11N1TVM 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Bag

工作温度

-40℃ ~ 85℃

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H11N1TVM 符合标准

H11N1TVM 海关信息

H11N1TVM 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

12 页 / 0.43 MByte

H11N1TVM 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

50 页 / 1.22 MByte

H11N1TVM 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.05 MByte

H11N1TVM 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.32 MByte

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