￥ 6.758

HAT2160H 数据手册 - Renesas Electronics（瑞萨电子）

制造商:

Renesas Electronics（瑞萨电子）

分类:

MOS管

封装:

SOT-669

描述:

硅N通道功率MOS FET电源开关 Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

HAT2160H 数据手册 (10 页)

封装尺寸在9 页

HAT2160H 数据手册 (10 页)

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HAT2160H 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

5 Pin

额定电压(DC)

20.0 V

额定电流

60.0 A

封装

SOT-669

极性

N-CH

功耗

30 W

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

60.0 A

上升时间

60 ns

输入电容值(Ciss)

7750pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

30 W

下降时间

15 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

30000 mW

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HAT2160H 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

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HAT2160H 符合标准

HAT2160H 概述

HAT2160H 数据手册

Renesas Electronics（瑞萨电子）

10 页 / 0.1 MByte

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Renesas Electronics（瑞萨电子）

8 页 / 0.08 MByte

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