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HFA3101BZ
器件3D模型
10.266
HFA3101BZ 数据手册 (12 页)
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HFA3101BZ 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
0Hz ~ 10GHz
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
针脚数
8 Position
最小电流放大倍数
40
最大电流放大倍数
40 @10mA, 3V
直流电流增益(hFE)
70
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃

HFA3101BZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃

HFA3101BZ 数据手册

Renesas Electronics(瑞萨电子)
12 页 / 0.79 MByte
Renesas Electronics(瑞萨电子)
11 页 / 0.18 MByte

HFA3101 数据手册

Intersil(英特矽尔)
Gilbert单元超高频晶体管阵列 Gilbert Cell UHF Transistor Array
Intersil(英特矽尔)
INTERSIL  HFA3101BZ  双极晶体管阵列, NPN, 8 V, 30 mA, 70 hFE, SOIC
Intersil(英特矽尔)
Gilbert单元超高频晶体管阵列 Gilbert Cell UHF Transistor Array
Intersil(英特矽尔)
Gilbert单元超高频晶体管阵列 Gilbert Cell UHF Transistor Array
Renesas Electronics(瑞萨电子)
Gilbert 单元 UHF 晶体管阵列,Intersil### 双极晶体管,Intersil
Intersil(英特矽尔)
Gilbert单元超高频晶体管阵列 Gilbert Cell UHF Transistor Array
Renesas Electronics(瑞萨电子)
射频(RF)双极晶体管 TXARRAY NPN GILBERT CELL 8W MILEL
Renesas Electronics(瑞萨电子)
Renesas Electronics(瑞萨电子)
Intersil(英特矽尔)
Gilbert单元超高频晶体管阵列 Gilbert Cell UHF Transistor Array
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