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HGTD1N120BNS9A
1.277
HGTD1N120BNS9A 数据手册 (9 页)
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HGTD1N120BNS9A 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
1.20 kV
额定电流
5.30 A
封装
TO-252-3
针脚数
3 Position
功耗
60 W
击穿电压(集电极-发射极)
1200 V
额定功率(Max)
60 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
60000 mW

HGTD1N120BNS9A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.6 mm
宽度
6.1 mm
高度
2.3 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

HGTD1N120BNS9A 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.16 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
18 页 / 0.94 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.87 MByte

HGTD1N120BNS9 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HGTD1N120BNS9A  单晶体管, IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 引脚
ON Semiconductor(安森美)
单晶体管, IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 引脚
Intersil(英特矽尔)
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