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HGTG11N120CN
2.04
HGTG11N120CN 数据手册 (7 页)
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HGTG11N120CN 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
1.20 kV
额定电流
43.0 A
封装
TO-247-3
功耗
298 W
击穿电压(集电极-发射极)
1200 V
额定功率(Max)
298 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
298000 mW

HGTG11N120CN 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tube
长度
15.87 mm
宽度
4.82 mm
高度
20.82 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

HGTG11N120CN 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.13 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
4 页 / 0.09 MByte

HGTG11N120 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HGTG11N120CND  单晶体管, IGBT, 43 A, 2.4 V, 298 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚
ON Semiconductor(安森美)
HGTG11N120CND系列 1200 V 43 A 法兰安装 NPT N沟道 IGBT-TO-247
Fairchild(飞兆/仙童)
43A , 1200V ,不扩散核武器条约系列N沟道IGBT 43A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
Intersil(英特矽尔)
43A , 1200V ,不扩散核武器条约系列N沟道IGBT与反并联二极管超高速 43A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
ON Semiconductor(安森美)
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