￥ 2.347

HGTG11N120CND 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-247-3

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG11N120CND 单晶体管, IGBT, 43 A, 2.4 V, 298 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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HGTG11N120CND 数据手册 (8 页)

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HGTG11N120CND 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

1.20 kV

额定电流

43.0 A

封装

TO-247-3

针脚数

3 Position

极性

N-Channel

功耗

298 W

击穿电压(集电极-发射极)

1200 V

反向恢复时间

70 ns

额定功率(Max)

298 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

298000 mW

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HGTG11N120CND 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

高度

20.82 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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HGTG11N120CND 符合标准

HGTG11N120CND 海关信息

HGTG11N120CND 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

8 页 / 0.1 MByte

HGTG11N120CND 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

8 页 / 0.1 MByte

HGTG11N120CND 产品设计图

Fairchild（飞兆/仙童）

1 页 / 0.03 MByte

HGTG11N120CND 产品修订记录

Fairchild（飞兆/仙童）

1 页 / 0.44 MByte

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43A ， 1200V ，不扩散核武器条约系列N沟道IGBT 43A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT

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43A ， 1200V ，不扩散核武器条约系列N沟道IGBT与反并联二极管超高速 43A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

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