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HGTG12N60A4
2.298
HGTG12N60A4 数据手册 (4 页)
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HGTG12N60A4 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
功耗
167000 mW
击穿电压(集电极-发射极)
600 V
额定功率(Max)
167 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
167000 mW

HGTG12N60A4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Rail
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

HGTG12N60A4 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.09 MByte

HGTG12N60 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HGTG12N60A4D  单晶体管, IGBT, 通用, 54 A, 2.7 V, 167 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HGTG12N60C3D  单晶体管, IGBT, 24 A, 1.8 V, 104 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
ON Semiconductor(安森美)
HGTG12N60A4D系列 600 V 54 A 法兰安装 SMPS N沟道 IGBT-TO-247
ON Semiconductor(安森美)
单晶体管, IGBT, 24 A, 1.8 V, 104 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
Fairchild(飞兆/仙童)
600V ,开关电源系列N沟道IGBT的 600V, SMPS Series N-Channel IGBTs
Fairchild(飞兆/仙童)
27A , 600V , UFS系列N沟道IGBT的 27A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs
Intersil(英特矽尔)
600V ,开关电源系列N沟道IGBT与反并联二极管超高速 600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
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