HGTG30N60B3 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HGTG30N60A4D  单晶体管, IGBT, 通用, 75 A, 2.6 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 引脚

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HGTG30N60B3D..  单晶体管, IGBT, 60 A, 1.9 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 引脚

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HGTG30N60A4  单晶体管, IGBT, 通用, 75 A, 2.6 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 引脚

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HGTG30N60C3D  单晶体管, IGBT, 63 A, 1.8 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 引脚

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HGTG30N60B3  单晶体管, IGBT, 60 A, 1.45 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 引脚

HGTG30N60A4系列 600 V 75 A 法兰安装 SMPS N沟道 IGBT-TO-247

分离式 IGBT，Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

单晶体管, IGBT, 60 A, 1.9 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 引脚

ON Semiconductor HGTG30N60B3 N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装