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HGTG30N60B3D 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-247-3

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG30N60B3D.. 单晶体管, IGBT, 60 A, 1.9 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 引脚

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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HGTG30N60B3D 数据手册 (2 页)

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HGTG30N60B3D 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

600 V

额定电流

60.0 A

封装

TO-247-3

额定功率

208 W

针脚数

3 Position

功耗

208 W

上升时间

25.0 ns

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

反向恢复时间

55 ns

额定功率(Max)

208 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

208000 mW

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HGTG30N60B3D 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

高度

20.82 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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HGTG30N60B3D 符合标准

HGTG30N60B3D 海关信息

HGTG30N60B3D 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

2 页 / 0.06 MByte

HGTG30N60B3D 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

8 页 / 0.2 MByte

HGTG30N60B3D 产品修订记录

Fairchild（飞兆/仙童）

6 页 / 0.51 MByte

HGTG30N60B3D 其他参考文件

Fairchild（飞兆/仙童）

1 页 / 0.15 MByte

HGTG30N60B3 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG30N60B3 单晶体管, IGBT, 60 A, 1.45 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 引脚

HGTG30N60B3 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON Semiconductor HGTG30N60B3 N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装

HGTG30N60B3 数据手册

Intersil（英特矽尔）

60A ， 600V ， UFS系列N沟道IGBT 60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT

HGTG30N60B3 数据手册

Harris

HGTG30N60B3D 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG30N60B3D.. 单晶体管, IGBT, 60 A, 1.9 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 引脚

HGTG30N60B3D 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

单晶体管, IGBT, 60 A, 1.9 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 引脚

HGTG30N60B3D 数据手册

Intersil（英特矽尔）

60A ， 600V ， UFS系列N沟道IGBT与反并联二极管超高速 60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

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