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HGTG30N60C3D
4.879
HGTG30N60C3D 数据手册 (8 页)
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HGTG30N60C3D 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
600 V
额定电流
30.0 A
封装
TO-247-3
额定功率
208 W
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
208 W
上升时间
45.0 ns
击穿电压(集电极-发射极)
600 V
反向恢复时间
60 ns
额定功率(Max)
208 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
208000 mW

HGTG30N60C3D 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tube
长度
15.87 mm
宽度
4.82 mm
高度
20.82 mm
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

HGTG30N60C3D 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.26 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.26 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.44 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.15 MByte

HGTG30N60C3 数据手册

Intersil(英特矽尔)
63A , 600V , UFS系列N沟道IGBT 63A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
Harting Technology Group(哈丁电子)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HGTG30N60C3D  单晶体管, IGBT, 63 A, 1.8 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
ON Semiconductor(安森美)
HGTG30N60C3D 系列 600 V 63 A 法兰安装 UFS N 沟道 IGBT-TO-247
Intersil(英特矽尔)
63A , 600V , UFS系列N沟道IGBT与反并联二极管超高速 63A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes
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