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HGTP12N60C3D
4.129
HGTP12N60C3D 数据手册 (8 页)
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HGTP12N60C3D 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
600 V
额定电流
24.0 A
封装
TO-220-3
极性
NPN
功耗
104 W
击穿电压(集电极-发射极)
600 V
反向恢复时间
40 ns
额定功率(Max)
104 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
104000 mW

HGTP12N60C3D 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Rail
宽度
4.83 mm
高度
9.4 mm
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

HGTP12N60C3D 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.14 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.24 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.09 MByte

HGTP12N60C3 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
24A , 600V , UFS系列N沟道IGBT的 24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
24A , 600V , UFS系列N沟道IGBT与反并联二极管超高速 24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes
ON Semiconductor(安森美)
Intersil(英特矽尔)
24A , 600V , UFS系列N沟道IGBT与反并联二极管超高速 24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes
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