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HGTP20N60A4
1.221
HGTP20N60A4 数据手册 (9 页)
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HGTP20N60A4 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
600 V
额定电流
70.0 A
封装
TO-220-3
额定功率
290 W
针脚数
3 Position
极性
N-Channel
功耗
290 W
上升时间
12.0 ns
击穿电压(集电极-发射极)
600 V
额定功率(Max)
290 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
290000 mW

HGTP20N60A4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tube
宽度
4.83 mm
高度
9.4 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

HGTP20N60A4 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.22 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
20 页 / 2.6 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.09 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.15 MByte

HGTP20N60 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HGTP20N60A4  单晶体管, IGBT, 70 A, 2.7 V, 290 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚
ON Semiconductor(安森美)
Intersil(英特矽尔)
600V ,开关电源系列N沟道IGBT的 600V, SMPS Series N-Channel IGBTs
Fairchild(飞兆/仙童)
40A , 600V , UFS系列N沟道IGBT的 40A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs
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