器件3D模型

￥ 2.613

HIP2100IBZ 数据手册 - Renesas Electronics（瑞萨电子）

制造商:

Renesas Electronics（瑞萨电子）

分类:

FET驱动器

封装:

SOIC-8

描述:

MOSFET & IGBT 驱动器，Intersil

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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HIP2100IBZ 数据手册 (13 页)

引脚图在6 页Hot

封装尺寸在1 页 12 页

原理图在2 页 3 页

HIP2100IBZ 数据手册 (13 页)

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HIP2100IBZ 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

上升/下降时间

10 ns

输出接口数

2 Output

针脚数

8 Position

功耗

1300 mW

下降时间(Max)

10 ns

上升时间(Max)

10 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1300 mW

电源电压

9V ~ 14V

电源电压(Max)

14 V

电源电压(Min)

9 V

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HIP2100IBZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.5 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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HIP2100IBZ 符合标准

HIP2100IBZ 海关信息

HIP2100IBZ 概述

HIP2100IBZ 数据手册

Renesas Electronics（瑞萨电子）

13 页 / 0.37 MByte

HIP2100IBZ 其他数据使用手册

Renesas Electronics（瑞萨电子）

11 页 / 0.18 MByte

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Renesas Electronics（瑞萨电子）

10 页 / 0.14 MByte

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