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HIP2100IRZT
器件3D模型
1.007

HIP2100IRZT 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
16 Pin
封装
QFN-16
输出接口数
2 Output
输出电流
2 A
功耗
3.3 W
上升时间
10 ns
下降时间
10 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3300 mW
电源电压
9V ~ 14V

HIP2100IRZT 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5 mm
宽度
5 mm
高度
0.95 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

HIP2100IRZT 数据手册

Renesas Electronics(瑞萨电子)
13 页 / 0.64 MByte

HIP2100 数据手册

Intersil(英特矽尔)
100V / 2A峰值,低成本,高频率半桥驱动器 100V/2A Peak, Low Cost, High Frequency Half Bridge Driver
Intersil(英特矽尔)
INTERSIL  HIP2100IBZ  双功率驱动器, 半桥, 9V-14V电源, 2A输出, 20ns延迟, SOIC-8
Intersil(英特矽尔)
HIP2100 系列 低压侧/高压侧 N沟道 114 V 2 A 半桥 驱动器 - SOIC-8
Intersil(英特矽尔)
100V / 2A峰值,低成本,高频率半桥驱动器 100V/2A Peak, Low Cost, High Frequency Half Bridge Driver
Intersil(英特矽尔)
100V / 2A峰值,低成本,高频率半桥驱动器 100V/2A Peak, Low Cost, High Frequency Half Bridge Driver
Intersil(英特矽尔)
驱动N沟道MOSFET半桥 Drives N-Channel MOSFET Half Bridge
Intersil(英特矽尔)
100V / 2A峰值,低成本,高频率半桥驱动器 100V/2A Peak, Low Cost, High Frequency Half Bridge Driver
Intersil(英特矽尔)
100V / 2A峰值,低成本,高频率半桥驱动器 100V/2A Peak, Low Cost, High Frequency Half Bridge Driver
Renesas Electronics(瑞萨电子)
MOSFET & IGBT 驱动器,Intersil
Renesas Electronics(瑞萨电子)
MOSFET驱动器, 半桥, 9V至14V电源, 2A输出, 20ns延迟, SOIC-8
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