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Datasheet 搜索 > 放大器IC与RF模块 > ADI(亚德诺) > HMC1049LP5E Datasheet 文档
HMC1049LP5E
器件3D模型
99.994
HMC1049LP5E 数据手册 (12 页)
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HMC1049LP5E 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
300MHz ~ 20GHz
引脚数
32 Pin
电源电压
7.00V (max)
封装
QFN-32
供电电流
70 mA
通道数
1 Channel
功耗
3340 mW
输出功率
15 dBm
增益
15 dB
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
3340 mW
电源电压
7 V
电源电压(Max)
7 V

HMC1049LP5E 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5.1 mm
宽度
5.1 mm
高度
1 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃

HMC1049LP5E 数据手册

ADI(亚德诺)
12 页 / 1.06 MByte
ADI(亚德诺)
9 页 / 0.18 MByte

HMC1049LP5 数据手册

ADI(亚德诺)
Analog Devices HittiteAnalog Devices Hittite 具有一系列射频放大器,它们具有各种功能。 一些具有低噪声放大器,一些射频放大器可与共振器、负电阻设备、变容二极管和缓冲器放大器集成,而另外一些可提供高效率 GaAs InGaP 异质结双极性晶体管 (HBT) MMIC 驱动器放大器。 ### 射频 (RF) 放大器,Analog Devices
ADI(亚德诺)
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