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Datasheet 搜索 > 放大器IC与RF模块 > ADI(亚德诺) > HMC311LP3ETR Datasheet 文档
HMC311LP3ETR
器件3D模型
2.487
HMC311LP3ETR 数据手册 (8 页)
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HMC311LP3ETR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
0Hz ~ 6GHz
引脚数
16 Pin
封装
QFN-16
供电电流
74 mA
通道数
1 Channel
功耗
339 mW
增益
14 dB
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
339 mW
电源电压
5 V

HMC311LP3ETR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 85℃

HMC311LP3ETR 数据手册

ADI(亚德诺)
8 页 / 0.64 MByte
ADI(亚德诺)
16 页 / 0.78 MByte
ADI(亚德诺)
9 页 / 0.18 MByte

HMC311LP3 数据手册

ADI(亚德诺)
射频放大器 InGaP HBT Gain Block amp SMT, DC - 6 GHz
ADI(亚德诺)
RF放大器 HMC311LP3ETR QFN-16(3x3)
ADI(亚德诺)
ANALOG DEVICES  HMC311LP3E  芯片, 射频放大器, 14DB, 6GHZ, 5V, HVQFN-16
ADI(亚德诺)
Hittite
射频放大器 InGaP HBT Gain Block amp SMT, DC - 6 GHz
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