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HMC361S8GE
器件3D模型
16.528
HMC361S8GE 数据手册 (8 页)
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HMC361S8GE 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
0Hz ~ 10GHz
引脚数
8 Pin
电源电压
4.75V (min)
封装
SOIC-8
供电电流
83 mA
输出功率
3 dBm
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压(Max)
5.25 V
电源电压(Min)
4.75 V

HMC361S8GE 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Each
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.62 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃

HMC361S8GE 数据手册

ADI(亚德诺)
8 页 / 0.7 MByte
ADI(亚德诺)
8 页 / 0.66 MByte

HMC361S8 数据手册

ADI(亚德诺)
ADI(亚德诺)
预定标器 InGaP HBT Divide-by-2 SMT, DC - 10 GHz
ADI(亚德诺)
GHz 下操作 这些设备通常适用于如下应用:PLL 频率范围扩展、CMOS 合成器、点对点无线电、VSAT 无线电和通信测试设备。### 时钟分频器
ADI(亚德诺)
Hittite
HMC361S8GE, 10GHz 射频预分频器, 最大为 5 V, 8针 SOIC封装
Hittite
预定标器 InGaP HBT Divide-by-2 SMT, DC - 10 GHz
Agilent(安捷伦)
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