HP8M51TB1

￥ 0.428

HP8M51TB1 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

封装:

PowerTDFN-8

描述:

1个N沟道和1个P沟道 100V 4.5A

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

HP8M51TB1 数据手册

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HP8M51TB1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

PowerTDFN-8

漏源极电压(Vds)

100 V

输入电容值(Ciss)

600pF @50V(Vds)

HP8M51TB1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

工作温度

150℃ (TJ)

HP8M51TB1 符合标准

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