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HUF75545P3
1.073
HUF75545P3 数据手册 (10 页)
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HUF75545P3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
80.0 V
额定电流
75.0 A
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
10 mΩ
极性
N-Channel
功耗
270 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
80 V
漏源击穿电压
80.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
75.0 A
上升时间
125 ns
输入电容值(Ciss)
3750pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
270 W
下降时间
90 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
270W (Tc)

HUF75545P3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
长度
10.67 mm
宽度
4.7 mm
高度
16.3 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

HUF75545P3 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.74 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
12 页 / 0.78 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.06 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.14 MByte

HUF75545 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HUF75545P3  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 80 V, 10 mohm, 10 V, 4 V
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HUF75545S3ST  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 80 V, 0.0082 ohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
HUF75545P3 系列 N沟道 80 V 0.01 Ohm UltraFET 功率Mosfet - TO-220AB
Fairchild(飞兆/仙童)
75A , 80V , 0.010 Ohm的N通道, UltraFET功率MOSFET 75A, 80V, 0.010 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 80 V, 0.0082 ohm, 10 V, 4 V
Fairchild(飞兆/仙童)
75A , 80V , 0.010 Ohm的N通道, UltraFET功率MOSFET 75A, 80V, 0.010 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET
Intersil(英特矽尔)
75A , 80V , 0.010 Ohm的N通道, UltraFET功率MOSFET 75A, 80V, 0.010 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET
Freescale(飞思卡尔)
Freescale(飞思卡尔)
ON Semiconductor(安森美)
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