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HUF75545S3ST
11.806

HUF75545S3ST 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.0082 Ω
功耗
270 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
80 V
上升时间
125 ns
输入电容值(Ciss)
3750pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
270 W
下降时间
90 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
270000 mW

HUF75545S3ST 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 175℃

HUF75545S3ST 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
12 页 / 0.78 MByte
ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.78 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.87 MByte

HUF75545S3 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
75A , 80V , 0.010 Ohm的N通道, UltraFET功率MOSFET 75A, 80V, 0.010 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
Intersil(英特矽尔)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HUF75545S3ST  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 80 V, 0.0082 ohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 80 V, 0.0082 ohm, 10 V, 4 V
Fairchild(飞兆/仙童)
75A , 80V , 0.010 Ohm的N通道, UltraFET功率MOSFET 75A, 80V, 0.010 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET
Freescale(飞思卡尔)
ON Semiconductor(安森美)
Intersil(英特矽尔)
75A , 80V , 0.010 Ohm的N通道, UltraFET功率MOSFET 75A, 80V, 0.010 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET
Freescale(飞思卡尔)
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