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HUF75639P3
1.795
HUF75639P3 数据手册 (10 页)
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HUF75639P3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
21 mΩ
功耗
200 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
100 V
上升时间
60 ns
输入电容值(Ciss)
2000pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
200 W
下降时间
25 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
200 W

HUF75639P3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Rail, Tube
材质
Silicon
长度
10.67 mm
宽度
4.83 mm
高度
9.4 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃

HUF75639P3 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.91 MByte
ON Semiconductor(安森美)
12 页 / 0.79 MByte

HUF75639 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HUF75639P3..  晶体管, MOSFET, N沟道, 56 A, 100 V, 21 mohm, 10 V, 4 V
Fairchild(飞兆/仙童)
56A , 100V , 0.025 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET HUF75639P3, 56 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
Fairchild(飞兆/仙童)
56A , 100V , 0.025 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
ON Semiconductor(安森美)
HUF75639S3S 系列 N 沟道 100 V 0.025 Ohm UltraFET 功率Mosfet - TO-263AB
Fairchild(飞兆/仙童)
56A , 100V , 0.025 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
Fairchild(飞兆/仙童)
UltraFET® MOSFET,Fairchild SemiconductorUItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量,且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS(接通)、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用:高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
N沟道 100V 56A
Intersil(英特矽尔)
56A , 100V , 0.025 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
ON Semiconductor(安森美)
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