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HUF76423P3
0.947
HUF76423P3 数据手册 (10 页)
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HUF76423P3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
功耗
85 W
漏源极电压(Vds)
60 V
输入电容值(Ciss)
1060pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
85 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
85 W

HUF76423P3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Rail, Tube
长度
10.67 mm
宽度
4.7 mm
高度
16.3 mm

HUF76423P3 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.64 MByte
ON Semiconductor(安森美)
12 页 / 0.77 MByte
ON Semiconductor(安森美)
18 页 / 0.2 MByte

HUF76423 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
HUF76423P3 系列 N沟道 60 V 0.035 Ohm 逻辑电平 UltraFET 功率Mosfet-TO-220AB
Fairchild(飞兆/仙童)
20A , 60V , 0.037 Ohm的N通道,逻辑电平UltraFET电源MOSFETFairchild 20A, 60V, 0.037 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETFairchild
Fairchild(飞兆/仙童)
UltraFET® MOSFET,Fairchild SemiconductorUItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量,且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS(接通)、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用:高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
20A , 60V , 0.037 Ohm的N通道,逻辑电平UltraFET电源MOSFETFairchild 20A, 60V, 0.037 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETFairchild
Freescale(飞思卡尔)
Intersil(英特矽尔)
33A , 60V , 0.035 Ohm的N通道,逻辑电平UltraFET功率MOSFET 33A, 60V, 0.035 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
33A , 60V , 0.035 Ohm的N通道,逻辑电平UltraFET功率MOSFET 33A, 60V, 0.035 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
Intersil(英特矽尔)
20A , 60V , 0.037 Ohm的N通道,逻辑电平UltraFET功率MOSFET 20A, 60V, 0.037 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
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