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IDH05SG60C
0.558
IDH05SG60C 数据手册 (7 页)
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IDH05SG60C 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
2 Pin
封装
TO-220-2
额定功率
56 W
负载电流
5 A
反向恢复时间
0 ns
最大正向浪涌电流
26 A
正向电压(Max)
2.3 V
正向电流(Max)
5 A
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

IDH05SG60C 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.2 mm
宽度
4.5 mm
高度
15.95 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃

IDH05SG60C 数据手册

Infineon(英飞凌)
7 页 / 0.53 MByte
Infineon(英飞凌)
7 页 / 0.53 MByte

IDH05SG60 数据手册

Infineon(英飞凌)
thinQ!™ 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管,InfineonInfineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术,用于碳化硅肖特基势垒二极管,可提高耐热性。 Infineon thinQ!™ 肖特基二极管具有 600V、650V 和 1200V 电压选择。 Infineon 1200V 碳化硅二极管高效,且在 1200 V 操作时无损耗。 碳化硅肖特基二极管碳化硅设备提供各种用于高电压功率半导体的功能,如更高的击穿电场强度和导热性,可提供更高效率水平。 此代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电动机驱动器、太阳能反相器及 PC Silverbox 和照明应用。 降低的 EMI ### 二极管和整流器,Infineon
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