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IHW20N120R2
0.729
IHW20N120R2 数据手册 (12 页)
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IHW20N120R2 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
击穿电压(集电极-发射极)
1200 V
额定功率(Max)
330 W
耗散功率(Max)
330 W

IHW20N120R2 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tube
工作温度
-40℃ ~ 175℃ (TJ)

IHW20N120R2 数据手册

Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.33 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.36 MByte
Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.6 MByte

IHW20N120 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IHW20N120R3  单晶体管, IGBT, 20 A, 1.7 V, 310 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IHW20N120R3FKSA1  单晶体管, IGBT, 20 A, 1.7 V, 310 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚
Infineon(英飞凌)
单晶体管, IGBT, 40 A, 1.55 V, 288 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚
Infineon(英飞凌)
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop
Infineon(英飞凌)
逆导IGBT与单片体二极管 Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode
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