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IHW30N120R3
2.847
IHW30N120R3 数据手册 (15 页)
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IHW30N120R3 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
TO-247-3
额定功率
349 W
击穿电压(集电极-发射极)
1200 V

IHW30N120R3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-40℃ ~ 175℃ (TJ)

IHW30N120R3 数据手册

Infineon(英飞凌)
15 页 / 1.99 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
Infineon(英飞凌)
48 页 / 2 MByte

IHW30N120 数据手册

Infineon(英飞凌)
逆导IGBT与单片体二极管 Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode
Infineon(英飞凌)
单晶体管, IGBT, 60 A, 1.55 V, 349 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚
Infineon(英飞凌)
与IGBT单片体二极管的软开关应用 IGBT with monolithic body diode for soft switching Applications
Infineon(英飞凌)
IGBT管/模块 IHW30N120R3 TO-247-3
Freescale(飞思卡尔)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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