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IKW25T120
3.632
IKW25T120 数据手册 (16 页)
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IKW25T120 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
额定功率
190 W
针脚数
3 Position
极性
N-Channel
功耗
190 W
击穿电压(集电极-发射极)
1200 V
反向恢复时间
200 ns
额定功率(Max)
190 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃

IKW25T120 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
15.8 mm
宽度
5 mm
高度
21 mm
工作温度
-40℃ ~ 150℃

IKW25T120 数据手册

Infineon(英飞凌)
16 页 / 0.86 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
Infineon(英飞凌)
48 页 / 2 MByte

IKW25 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IKW25N120T2  单晶体管, IGBT, 25 A, 2.2 V, 349 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IKW25N120H3  单晶体管, IGBT, 25 A, 2.4 V, 326 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IKW25T120  单晶体管, IGBT, 通用, 50 A, 2.2 V, 190 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IKW25N120H3FKSA1  单晶体管, IGBT, 25 A, 2.4 V, 326 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚
Infineon(英飞凌)
IGBT 分立,Infineon**Infineon** 分散 IGBT 系列提供不同的技术,如 NPT、N 通道 TRENCHSTOPTM 和 Fieldstop。 它们可用于很多可能需要硬切换和软切换的应用。 这包括工业驱动器、UPS、逆变器、家用电器和感应烹饪。 有些设备可能具有防并联二极管或整体集成二极管。### IGBT 分立件和模块,Infineon绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IKW25N120T2FKSA1  单晶体管, IGBT, 25 A, 2.2 V, 349 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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