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Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > ROHM Semiconductor(罗姆半导体) > IMD9AT108 Datasheet 文档
IMD9AT108
器件3D模型
0.03
IMD9AT108 数据手册 (12 页)
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IMD9AT108 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
额定电流
100 mA
封装
SC-74-6
额定功率
0.3 W
通道数
2 Channel
极性
N-Channel, P-Channel
功耗
300 mW
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
100mA
最小电流放大倍数
68 @5mA, 5V
额定功率(Max)
300 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
增益带宽
250 MHz
耗散功率(Max)
300 mW

IMD9AT108 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3 mm
宽度
1.8 mm
高度
1.2 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IMD9AT108 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
12 页 / 1.64 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
13 页 / 1.67 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
1 页 / 0.12 MByte

IMD9 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
NPN+PNP 晶体管,ROHM### Digital Transistors, ROHMResistor-equipped bipolar transistors, also known as “Digital Transistors” or “Bias Resistor Transistors”, incorporating one or two integrated resistors. A single series input resistor, or a potential divider of two resistors, allows these devices to be directly driven from digital sources. Both single and dual transistor versions are available.
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