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IMH23T110
0.083
IMH23T110 数据手册 (7 页)
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IMH23T110 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
SOT-457
额定功率
0.3 W
极性
NPN
功耗
0.3 W
击穿电压(集电极-发射极)
20 V
集电极最大允许电流
600mA
最小电流放大倍数
820 @50mA, 5V
最大电流放大倍数
820
额定功率(Max)
300 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
增益带宽
150 MHz
耗散功率(Max)
300 mW

IMH23T110 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3 mm
宽度
1.8 mm
高度
1.2 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IMH23T110 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
7 页 / 0.59 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
6 页 / 1.1 MByte

IMH23 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM### Digital Transistors, ROHMResistor-equipped bipolar transistors, also known as “Digital Transistors” or “Bias Resistor Transistors”, incorporating one or two integrated resistors. A single series input resistor, or a potential divider of two resistors, allows these devices to be directly driven from digital sources. Both single and dual transistor versions are available.
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