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IMX8T108
器件3D模型
0.039
IMX8T108 数据手册 (3 页)
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IMX8T108 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
140 MHz
引脚数
6 Pin
额定电压(DC)
120 V
额定电流
50.0 mA
封装
SC-74-6
极性
NPN
功耗
0.3 W
击穿电压(集电极-发射极)
120 V
集电极最大允许电流
0.05A
最小电流放大倍数
180 @2mA, 6V
最大电流放大倍数
820
额定功率(Max)
300 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300 mW

IMX8T108 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not For New Designs
包装方式
Tape & Reel (TR)
宽度
1.6 mm
工作温度
150℃ (TJ)

IMX8T108 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
3 页 / 0.91 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
3 页 / 0.05 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
1 页 / 0.12 MByte

IMX8 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
IMX8 NPN+NPN复合三极管 120V 50mA HEF=180~820 SOT-163/SMT6/SC-74 标记X8 用于开关/数字电路
Vishay Semiconductor(威世)
National Semiconductor(美国国家半导体)
TI(德州仪器)
Diodes(美台)
NXP(恩智浦)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
IMX8 系列 120 V 50 mA 表面贴装 双 NPN 通用 晶体管-SC-74
Diodes(美台)
IMX8 系列 双 NPN 120 V 300 mW 小信号晶体管 表面贴装-SOT-26-6
Diodes(美台)
IMX8-7 NPN+NPN复合三极管 120V 50mA HEF=180~820 SOT-163/SOT-26 标记X8 用于开关/数字电路
Diodes Zetex(捷特科)
NPN 晶体管,Diodes Inc### 双极晶体管,Diodes Inc### 晶体管,Diodes Inc
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