器件3D模型

￥ 1.799

INA219BIDR 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

运算放大器

封装:

SOIC-8

描述:

TEXAS INSTRUMENTS INA219BIDR 电流检测放大器, 1个放大器, SOIC, 8 引脚, -40 °C, 125 °C

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

INA219BIDR 数据手册 (40 页)

引脚图在5 页Hot

封装尺寸在32 页 34 页 35 页

典型应用电路图在9 页

原理图在8 页

INA219BIDR 数据手册 (40 页)

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INA219BIDR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

电源电压

3.00V (min)

封装

SOIC-8

输出电流

10 mA

通道数

1 Channel

针脚数

8 Position

共模抑制比

120 dB

带宽

11 kHz

输入补偿电压

40 µV

工作温度(Max)

125 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

精度

±0.5 %

电源电压(Max)

5.5 V

电源电压(Min)

3 V

输入电压

0V ~ 26V

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INA219BIDR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-40℃ ~ 125℃

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INA219BIDR 符合标准

INA219BIDR 数据手册

TI（德州仪器）

40 页 / 0.96 MByte

INA219BIDR 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

44 页 / 1.38 MByte

INA219BIDR 产品修订记录

TI（德州仪器）

8 页 / 0.22 MByte

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