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IPA50R190CE 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

500V,18.5A,190mOhm,N沟道功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IPA50R190CE 数据手册 (2 页)

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IPA50R190CE 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

极性

N-Channel

功耗

32 W

漏源极电压(Vds)

500 V

连续漏极电流(Ids)

18.5A

上升时间

8.5 ns

输入电容值(Ciss)

1137pF @100V(Vds)

下降时间

7.5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

32W (Tc)

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IPA50R190CE 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IPA50R190CE 符合标准

IPA50R190CE 海关信息

IPA50R190CE 概述

IPA50R190CE 数据手册

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.94 MByte

IPA50R190CE 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPA50R190CE 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

52 页 / 3.25 MByte

IPA50R190CE 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IPA50R190 数据手册

IPA50R190CE 数据手册

Infineon（英飞凌）

500V,18.5A,190mOhm,N沟道功率MOSFET

IPA50R190CEXKSA2 数据手册

Infineon（英飞凌）

晶体管, MOSFET, N沟道, 24.8 A, 500 V, 0.17 ohm, 13 V, 3 V

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