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Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon(英飞凌) > IPA60R099P6 Datasheet 文档
IPA60R099P6
3.609

IPA60R099P6 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
89 mΩ
极性
N-CH
功耗
34 W
阈值电压
3.5 V
漏源极电压(Vds)
600 V
漏源击穿电压
600 V
连续漏极电流(Ids)
37.9A
上升时间
10 ns
输入电容值(Ciss)
3330pF @100V(Vds)
下降时间
5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
34000 mW

IPA60R099P6 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.65 mm
宽度
4.85 mm
高度
16.15 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IPA60R099P6 数据手册

Infineon(英飞凌)
18 页 / 2.21 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
42 页 / 1.35 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IPA60R099 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPA60R099C6XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 37.9 A, 600 V, 0.09 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 37.9 A, 600 V, 0.089 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IPA60R099P7 TO-220
Infineon(英飞凌)
N沟道 600V 12A
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IPA60R099P6 TO-220-3
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 600 V, 0.077 ohm, 10 V, 3.5 V
Infineon(英飞凌)
N沟道 600V 12A
Infineon(英飞凌)
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