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Datasheet 搜索 > 中高压MOS管 > Infineon(英飞凌) > IPA60R125CPXKSA1 Datasheet 文档
IPA60R125CPXKSA1
2.443
IPA60R125CPXKSA1 数据手册 (10 页)
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IPA60R125CPXKSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
额定功率
35 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.11 Ω
极性
N-CH
功耗
35 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
650 V
连续漏极电流(Ids)
25A
上升时间
5 ns
输入电容值(Ciss)
2500pF @100V(Vds)
下降时间
5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
35W (Tc)

IPA60R125CPXKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tube
长度
10.65 mm
宽度
4.85 mm
高度
16.15 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IPA60R125CPXKSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.54 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
33 页 / 1.03 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IPA60R125 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPA60R125CP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 25 A, 650 V, 0.11 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPA60R125C6XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 0.11 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPA60R125C6  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 0.11 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPA60R125CPXKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 25 A, 650 V, 0.11 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IPA60R125P6 TO-220FP
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
的CoolMOS功率晶体管 CoolMos Power Transistor
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