￥ 2.878

IPA60R125P6XKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPA60R125P6XKSA1 数据手册 (18 页)

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IPA60R125P6XKSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

额定功率

34 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.113 Ω

极性

N-Channel

功耗

34 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

30A

上升时间

9 ns

输入电容值(Ciss)

2660pF @100V(Vds)

下降时间

5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

34W (Tc)

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IPA60R125P6XKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IPA60R125P6XKSA1 符合标准

IPA60R125P6XKSA1 概述

IPA60R125P6XKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

18 页 / 2.72 MByte

IPA60R125P6XKSA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPA60R125P6XKSA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

42 页 / 1.35 MByte

IPA60R125P6XKSA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IPA60R125P6 数据手册

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场效应管(MOSFET) IPA60R125P6 TO-220FP

IPA60R125P6XKSA1 数据手册

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单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

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