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IPA60R190C6
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IPA60R190C6 数据手册 (19 页)
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IPA60R190C6 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
170 mΩ
极性
N-Channel
功耗
34 W
阈值电压
2.5 V
漏源极电压(Vds)
650 V
漏源击穿电压
600 V
连续漏极电流(Ids)
20.2A
上升时间
11 ns
输入电容值(Ciss)
1400pF @100V(Vds)
额定功率(Max)
34 W
下降时间
9 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
34W (Tc)

IPA60R190C6 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.65 mm
宽度
4.85 mm
高度
16.15 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IPA60R190C6 数据手册

Infineon(英飞凌)
19 页 / 1.23 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
52 页 / 3.25 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IPA60R190 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPA60R190P6  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.2 A, 600 V, 0.171 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPA60R190P6XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.2 A, 600 V, 0.171 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPA60R190E6XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.2 A, 650 V, 0.17 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPA60R190E6  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.2 A, 650 V, 0.17 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
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