￥ 0.652

IPA60R190P6 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

INFINEON IPA60R190P6 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.2 A, 600 V, 0.171 ohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPA60R190P6 数据手册 (19 页)

IPA60R190P6 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.171 Ω

极性

N-Channel

功耗

34 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

9.5A

上升时间

8 ns

输入电容值(Ciss)

1750pF @100V(Vds)

额定功率(Max)

34 W

下降时间

7 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

34W (Tc)

查看数据手册 >

IPA60R190P6 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.65 mm

宽度

4.85 mm

高度

16.15 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

IPA60R190P6 符合标准

IPA60R190P6 海关信息

IPA60R190P6 概述

IPA60R190P6 数据手册

Infineon（英飞凌）

19 页 / 3.01 MByte

IPA60R190P6 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPA60R190P6 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

33 页 / 1.03 MByte

IPA60R190P6 产品设计图

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.1 MByte

IPA60R190P6 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IPA60R190P6 产品封装文件

Infineon（英飞凌）

16 页 / 0.9 MByte

IPA60R190 数据手册

IPA60R190P6 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IPA60R190P6 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.2 A, 600 V, 0.171 ohm, 10 V, 4 V

IPA60R190C6 数据手册

Infineon（英飞凌）

Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

IPA60R190P6XKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IPA60R190P6XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.2 A, 600 V, 0.171 ohm, 10 V, 4 V

IPA60R190E6XKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IPA60R190E6XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.2 A, 650 V, 0.17 ohm, 10 V, 3 V

IPA60R190C6XKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

IPA60R190E6 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IPA60R190E6 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.2 A, 650 V, 0.17 ohm, 10 V, 3 V

IPA60R190C6XK 数据手册

Infineon（英飞凌）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号