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Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon(英飞凌) > IPA60R280C6XKSA1 Datasheet 文档
IPA60R280C6XKSA1
1.806
IPA60R280C6XKSA1 数据手册 (19 页)
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IPA60R280C6XKSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
额定功率
32 W
通道数
1 Channel
漏源极电阻
250 mΩ
极性
N-Channel
功耗
32 W
阈值电压
2.5 V
漏源极电压(Vds)
600 V
漏源击穿电压
600 V
连续漏极电流(Ids)
13.8A
上升时间
11 ns
输入电容值(Ciss)
950pF @100V(Vds)
下降时间
12 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
32000 mW

IPA60R280C6XKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.65 mm
宽度
4.85 mm
高度
16.15 mm

IPA60R280C6XKSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
19 页 / 1.55 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
52 页 / 3.25 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IPA60R280C6 数据手册

Infineon(英飞凌)
MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPA60R280C6XKSA1, 13.8 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
Infineon(英飞凌)
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