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Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon(英飞凌) > IPA60R280P6 Datasheet 文档
IPA60R280P6
0.983

IPA60R280P6 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.252 Ω
极性
N-Channel
功耗
32 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
13.8A
上升时间
6 ns
输入电容值(Ciss)
1190pF @100V(Vds)
下降时间
6 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
32 W

IPA60R280P6 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.65 mm
宽度
4.9 mm
高度
16.15 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IPA60R280P6 数据手册

Infineon(英飞凌)
19 页 / 3.01 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
42 页 / 1.35 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IPA60R280 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPA60R280P6XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13.8 A, 600 V, 0.252 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPA60R280P6  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13.8 A, 600 V, 0.252 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 13.8 A, 600 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPA60R280C6XKSA1, 13.8 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
Infineon(英飞凌)
600V的CoolMOS E6功率晶体管 600V CoolMOS E6 Power Transistor
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 600 V, 0.214 ohm, 10 V, 3.5 V
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IPA60R280P7 TO-220FP-3
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IPA60R280P7S TO-220
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, 3, N沟道, 6 A, 600 V, 0.237 ohm, 10 V, 4 V
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