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IPA65R600C6
0.263
IPA65R600C6 数据手册 (19 页)
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IPA65R600C6 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
540 mΩ
极性
N-CH
功耗
28 W
阈值电压
2.5 V
漏源极电压(Vds)
700 V
漏源击穿电压
650 V
连续漏极电流(Ids)
7.3A
上升时间
9 ns
输入电容值(Ciss)
440pF @100V(Vds)
下降时间
13 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
63 W

IPA65R600C6 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tube
长度
10.65 mm
宽度
4.85 mm
高度
16.15 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IPA65R600C6 数据手册

Infineon(英飞凌)
19 页 / 2.1 MByte

IPA65R600 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPA65R600E6  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 700 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPA65R600E6XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 700 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
PG-TO220 整包
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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