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IPA70R600P7SXKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 700 V, 0.49 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPA70R600P7SXKSA1 数据手册 (13 页)

IPA70R600P7SXKSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.49 Ω

功耗

24.9 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

700 V

上升时间

5.5 ns

输入电容值(Ciss)

364pF @400V(Vds)

下降时间

23 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

25W (Tc)

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IPA70R600P7SXKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Rail, Tube

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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IPA70R600P7SXKSA1 符合标准

IPA70R600P7SXKSA1 概述

IPA70R600P7SXKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

13 页 / 1.12 MByte

IPA70R600P7SXKSA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPA70R600P7SXKSA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

33 页 / 1.03 MByte

IPA70R600P7SXKSA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IPA70R600P7 数据手册

IPA70R600P7SXKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

晶体管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 700 V, 0.49 ohm, 10 V, 3 V

IPA70R600P7S 数据手册

Infineon（英飞凌）

场效应管(MOSFET) IPA70R600P7S TO-220

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