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IPA80R1K4CE 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

800V,1400mΩ,3.9A,N沟道功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IPA80R1K4CE 数据手册 (15 页)

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IPA80R1K4CE 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

极性

N-CH

漏源极电压(Vds)

800 V

漏源击穿电压

800 V

连续漏极电流(Ids)

3.9A

上升时间

15 ns

输入电容值(Ciss)

570pF @100V(Vds)

下降时间

22 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

31000 mW

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IPA80R1K4CE 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.65 mm

宽度

4.85 mm

高度

16.15 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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IPA80R1K4CE 符合标准

IPA80R1K4CE 海关信息

IPA80R1K4CE 数据手册

Infineon（英飞凌）

15 页 / 1.02 MByte

IPA80R1K4CE 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPA80R1K4CE 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

51 页 / 2.6 MByte

IPA80R1K4CE 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

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