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IPB014N06N
1.777
IPB014N06N 数据手册 (9 页)
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IPB014N06N 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
7 Pin
封装
TO-263-7
通道数
1 Channel
漏源极电阻
1.2 mΩ
极性
N-CH
功耗
214 W
阈值电压
2.1 V
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60 V
连续漏极电流(Ids)
180A
上升时间
18 ns
输入电容值(Ciss)
7800pF @30V(Vds)
下降时间
14 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3W (Ta), 214W (Tc)

IPB014N06N 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
10 mm
宽度
9.25 mm
高度
4.4 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IPB014N06N 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.62 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IPB014N06 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPB014N06NATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 60 V, 0.0012 ohm, 10 V, 2.8 V 新
Infineon(英飞凌)
Infineon OptiMOS™5 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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